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Método de determinación de parámetros reticulares de materiales cristalinos mediante difracción de electrones de alta resolución

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Procedimiento para medir parámetros reticulares de cristales de tamaños muy variables (desde nanómetros hasta milímetros) presentes en materiales monocristalinos y policristalinos, con alta precisión y exactitud a partir de diagramas de difracción de electrones recopilados en microscopios electrónicos de transmisión (TEM).

Descripción

En este trabajo se presenta una nueva metodología desarrollada en la UCA denominada difracción de electrones de alta resolución (High resolution electron diffraction, HRED), con la cual se logra medir distancias reticulares a partir de diagramas de difracción de electrones de área seleccionada (Selected Area Electron Diffraction, SAED) con muy altas precisiones que llegan a valores nunca reportados con anterioridad para el mismo tipo de medidas. Los experimentos son realizables en casi cualquier tipo de microscopio electrónica de transmisión (Transmission electron microscopy, TEM). En precisión y exactitud igualan o incluso llegan a superar en un orden de magnitud a las medidas de constantes de red alcanzadas mediante el análisis de imágenes de TEM de alta resolución (HRTEM) provenientes de experimentos muy singulares en equipos TEM de precios prohibitivos. Los cálculos realizados tienen en cuenta la calibración de los valores de longitud de cámara real y la presencia de las distorsiones que pueden estar modificando los diagramas de difracción. La técnica se ha querido llamar de “alta resolución” por similitud a la terminología usada en el campo la difracción de rayos X (XRD), que se llama HRXRD, cuando persigue el mismo fin que la HRED desarrollada. No obstante, siendo rigurosos con los términos anteriormente definidos puede que fuese más adecuado referirse a esta metodología como difracción de electrones de “alta precisión”. La ventaja sobre XRD, una técnica de análisis macro- o microscópico, es que la HRED sirve para extraer información de zonas mucho más pequeñas (hasta nanómetros) de materiales cristalinos y de forma mucho más rápida.

La invención es susceptible de aplicación industrial como un método en sí mismo que resulta evidente en la descripción de la invención: determinación precisa y exacta de parámetros reticulares de materiales cristalinos mediante difracción de electrones de alta resolución. Este tiene gran importancia en el ámbito del desarrollo de nuevos materiales cristalinos a distintas escalas (macro-micro-nano).

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